兆易创新 GigaDevice

                                      

       北京兆易创新科技股份有限公司 (股票代码603986) ，是全球领先的Fabless芯片供应商,公司成立于2005年4月，公司总部设于中国北京，在中国上海、深圳、合肥、西安、成都、苏州、香港和台湾，美国、韩国、日本、英国、德国、新加坡等国家和地区均设有分支机构和办事处，营销网络遍布全球，为客户提供优质便捷的本地化支持服务。

公司的核心产品线为存储器（Flash、DRAM）、32位通用型MCU、智能人机交互传感器、电源产品及整体解决方案，旗下产品以“ 高性能、低功耗”著称，技术实力备受行业认可。

• 全球排名第一的无晶圆厂Flash供应商。在NOR Flash领域，市场占有率全球第三、中国第一，累计出货量超190亿颗， 年出货量超28亿颗。

• 中国品牌排名第一的Arm®通用型MCU供应商，提供超过35个系列、400余款型号选择，累计出货量超8亿颗。

• 触控芯片全球市场排名第四；指纹芯片全球市场排名第三、中国排名第二。

微控制器 MCU

                                                                                                                                                                                                                                                                                                 

GD32™系列MCU采用了ARM® Cortex®-M3、Cortex®-M4、Cortex®-M23和RISC-V内核，在提供高性能、低功耗的同时兼具高性价比。该系列融合了兆易创新先进的gFlash®存储器技术，功能更加丰富，设计灵活性也更高。 GD32™系列支持广泛的应用，如工业控制、用户接口、电机驱动、电源监测、警报系统、消费电子和手持设备、太阳能光伏控制、触控面板、个人电脑外设等。

Cortex®-M4

GD32FFPR 系列

•特定型 MCU

•主流型 MCU

•入门型 MCU

•高性能型 MCU

Cortex®-M3

•入门型 MCU

•主流型 MCU

•高性能型 MCU

Cortex®-M33

GD32E501 系列

GD32EPRT 系列

•特定型 MCU

•主流型 MCU

•高性能型 MCU

Cortex®-M23

•入门型 MCU

•主流型 MCU

RISC-V内核

•主流型 MCU

闪存 FLASH


                                                                                                                                                                                                                                                                                                 

NOR Flash或NAND Flash作为关键的非易失性存储器，主要用于存储设备的配置程序。兆易创新拥有广泛的闪存产品组合，且均经过专门设计，以满足各种电子应用对于容量、性能、可靠性和安全性等方面的不同需求，同时提供超小型封装和低功耗。

SPI NOR Flash - 主要特性

SPI NOR Flash

•支持1.8V、2.5V、3.0V和宽压电源供电

•提供单通道、双通道、四通道SPI工作模式

•四通道SPI数据吞吐量高达532Mb/s，优于许多异步并行闪存

•内存架构灵活自如（扇区大小：4K bytes，块大小：32/64K bytes）

•高可靠性，数据保留时间20年，编程/擦除周期达100000次

•工作温度范围：-40℃~85℃

•提升的代码执行速度、简化的接口和较少的引脚等

SPI NAND Flash - 主要特性

SPI NAND Flash

•采用1.8V和3.0V电源供电

•封装：WSON8 (6mm x 8mm)​

•高速时钟频率（30pF载荷时的快速读取为120MHz）

•四通道数据吞吐量高达480Mbit/s​

•高可靠性，数据保留时间10年，编程/擦除周期达100000次

•工作温度范围：-40℃~85℃

•增强的访问性能，快速随机读取的缓存为2K或4K bytes

•高级NAND功能，包括内部ECC

并口NAND Flash - 主要特性

并口NAND Flash

•电源：1.8V (1.7V ~ 1.95V)或3.0V (2.7V ~ 3.6V)

•分页大小：2048 + 128 Byte或2048 + 64 Byte

•兼容ONFi

•封装类型：TSOP-48、FBGA-63、FBGA-48

•容量：1Gb至8Gb

•高可靠性：数据保留时间10年，且编程/擦除周期高达100000次

•温度范围：-40℃~85℃/-40℃~105℃

•高性能特性：缓存读取/编程操作

•安全特性：OTP、UID与阵列保护

DRAM

                                                                                                                                       

兆易创新提供的高品质与高性价比的DDR3L ，采用先进制程，同时兼容1.35V和1.5V电压，支持各种解决方案，从网络通讯到多媒体和安防等，不一而足。它拥有比DDR2 SDRAM更高的数据带宽，最高读写速率达2133Mbps，满足大部分消费电子应用需求。面向机顶盒、电视、监控、网络通信、平板电脑、智慧家庭、车载影音系统等诸多领域，充分满足消费电子产品的主流需求，为客户提供从设计、流片，到封测、验证全国产化的产品选择。

DDR3L

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DDR3L产品特点：

•存储容量:2Gb/4Gb

•数据接口:x8/x16 可选

•数据速率:最高可达2133Mbps

•温度范围:0~95°C/-40~95°/-40~105°C

•应用领域:网络通信、电视、安防监控、机顶盒、

智慧家庭、工业、车载影音等诸多领域

•从设计、流片,到封测、验证全国产化

DDR4

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DDR4产品特点：

•存储容量:4Gb

•数据接口:x8/x16 可选

•数据速率:最高可达3200Mbps

•温度范围:0~95°C/-40~95°/-40~105°C

•应用领域:机顶盒、电视、安防监控、网络通信、
  智慧家庭、工业、车载影音等诸多领域

•从设计、流片,到封测、验证全国产化

电源管理单元 PMU


电源管理单元 PMU

线性稳压器(LDO)

       目前，兆易创新已具备多款低噪声、低压降线性稳压器（LDO），可提供3A或1.2A负载电流，最高压降仅为180mV。 将低噪声、高电源抑制比和高输出电路性能相结合，集成欠压锁定、软起动控制和多种保护功能，不仅适用于无线基础设施和工业应用，也能满足高速通信、射频、医疗等对噪声敏感型领域的需求。
       器件的输出电压设定可通过内部引脚设置和外部电阻设定两种方法实现，在集成电路（ASIC）、现场可编程门阵列（FPGA）以及数字信号处理器（DSP）的某些特殊应用场景中，可通过BIAS输入实现其所需的低输入低输出状态。

电源管理芯片PMIC

       兆易创新PMIC系列产品致力于解决低电压、智能便携式设备的电源管理需求，它有效集成了锂电充电、LDO线性稳压器、直流转换稳压器，电源路径管理和ADC等多种电源管理功能模块，可以通过内置的串口通讯I2C对功能参数进行智能编程，同时芯片内置过温、过压、过流等多种保护功能，部分产品还可提供先进的WLCSP封装，以适用于小尺寸应用的场景需求。
       PMIC产品的应用广泛，涵盖可穿戴消费类、便携式医疗类、物联网通信类等领域。典型的应用场景有包括：TWS耳机盒的电源管理解决方案、TWS耳机电源管理方案、智能手表电源管理方案、助听器电源管理方案、便携式医疗器件电源管理方案。

电机控制

       兆易创新电机驱动产品系列致力于给客户提供安全、可靠、智能和高效率的电机驱动解决方案，它集成了电机驱动、直流转换稳压、LDO线性稳压器、PWM控制和功率驱动等模块，并提供过温、过压、过流等多重保护。
       电机驱动产品系列既有功率管外接的电机控制器产品，也有集成功率管的电机驱动器产品，支持三相BLDC无刷电机或者PMSM电机。PWM控制模式三组或六组可配置、可编程栅极驱动电流、宽范围电压输入、高达200KHz的PWM输入控制、支持外接或自带多种电机驱动控制算法、可选择Buck电路和完善的保护机制等特色优势可以为客户解决各种特殊需求。同时在电机控制器外接控制算法方面的方案上，兆易创新可以发挥自己独特优势，搭载自身GD32E230C-FOC电机驱动开放平台系列为客户提供从算法控制（支持HALL、ENCODER、LUENBURGER和SMO算法）到封装的完整电机驱动解决方案。